Czochralského metóda

z Wikipédie, slobodnej encyklopédie
Prejsť na: navigácia, hľadanie
Czochralského metóda pestovania monokryštálu

Czochralského metóda je metóda pestovania syntetického monokryštalického polovodiča. Zárodok monokryštálu upevnený na ťahacom hriadeli je priložený k tavenine v kremennej nádobe s grafitovým ohrievačom, pričom sa pomaly vyťahuje 5-150 mm.h-1 a rotuje 10-100 ot.min-1 proti smeru rotácie taveniny 5-25 mm.min-1. Celý proces prebieha pri inertnej atmosfére alebo pod ochrannou taveninou, vo vákuovej alebo tlakovej nádobe.

Počas tuhnutia vyťahovanej taveniny majú nečistoty tendenciu ostávať v kvapalnej fáze. Koncentrácia sa mení pozdĺž ťahaného kryštálu, lebo objem kvapaliny sa neustále znižuje. Výsledný monokryštál ma tvar valca. Má približne hyperbolický priebeh koncentrácie nečistôt pozdĺž valca.

Podmienky rastu monokryštálu[upraviť | upraviť zdroj]

  • rozhranie medzi monokryštálom a taveninou musí byť chladnejšie ako ostatná tavenina
  • možnosť kontroly teploty
  • čistý povrch taveniny
  • viskozita taveniny
  • charakter kryštalografických fázových premien
  • osová symetria tepelného prúdu

Najviac sa táto metóda používa pri výrobe Si,Ge a GaAs polovodičov. Nevýhoda je možnosť reakcie nádoby s materiálom.

Galéria[upraviť | upraviť zdroj]

Pozri aj[upraviť | upraviť zdroj]

Iné projekty[upraviť | upraviť zdroj]