Czochralského metóda
Czochralského metóda je metóda pestovania syntetického monokryštalického polovodiča. Zárodok monokryštálu upevnený na ťahacom hriadeli je priložený k tavenine v kremennej nádobe s grafitovým ohrievačom, pričom sa pomaly vyťahuje 5-150 mm.h-1 a rotuje 10-100 ot.min-1 proti smeru rotácie taveniny 5-25 mm.min-1. Celý proces prebieha pri internej atmosfére alebo pod ochrannou taveninou, vo vákuovej alebo tlakovej nádobe.
Počas tuhnutia vyťahovanej taveniny nečistoty majú tendenciu ostávať v kvapalnej fáze. Koncentrácia sa mení pozdĺž ťahaného kryštálu, lebo objem kvapaliny sa neustále znižuje. Výsledný monokryštál ma tvar valca. Má približne hyperbolicky priebeh koncentrácie nečistôt pozdĺž valca.
Podmienky rastu monokryštalu
- rozhranie medzi monokryštalom a taveninov musí byť chladnejšie ako ostatná tavenina
- možnost kontroly teploty
- čistý povrch taveniny
- viskozita taveniny
- charakter kryštalografickych fázovych premien
- osová symetria tepelneho prúdu
Najviac sa tato metóda používa pri výrobe Si,Ge a GaAs polovodičov. Nevýhoda je možnosť reakcie nádoby s materiálom.