Diskusia:Complementary Metal Oxide Semiconductor

Obsah stránky není podporován v jiných jazycích.
z Wikipédie, slobodnej encyklopédie

CMOS obvody sú vďaka svojej MOS štruktúre citlivejšie na vonkajšie impulzné výkyvy napätia mimo svoje pracovné rozsahy než technológia TTL, čo môže viesť k ich rýchlemu deštruktívnemu poškodeniu. Vyžadujú preto kvalitnejšie obvody na rozhraniach vstupov a výstupov spájajúce ich so zvyšnými časťami elektronického obvodu, napríklad výkonovej časti, a takisto aj kvalitnejšie napájacie obvody.

Zdroj: „https://sk.wikipedia.org/w/index.php?title=Diskusia:Complementary_Metal_Oxide_Semiconductor&oldid=2245341“