EPROM: Rozdiel medzi revíziami

z Wikipédie, slobodnej encyklopédie
Smazaný obsah Přidaný obsah
Liso (diskusia | príspevky)
d obrázok
Wek1 (diskusia | príspevky)
d detaily k obr
Riadok 1: Riadok 1:
[[Image:Eprom32k.jpg|thumb|right|ST Microelectronics 256Kbit 32KB EPROM]]'''EPROM''' (Erasable Programmable Read-Only Memory) je [[ROM]] mazateľné ultrafialovým svetlom.
[[Image:Eprom32k.jpg|thumb|right|ST Microelectronics 256Kbit 32KB 120ns EPROM vyrobená v 14. týždni 1995 (9514)]]'''EPROM''' (Erasable Programmable Read-Only Memory) je [[ROM]] mazateľné ultrafialovým svetlom.


Pamäte EPROM boli vyvinuté firmou Intel počiatkom sedemdesiatych rokov a vďaka ich opakovateľnej preprogramovateľnosti pri uchovaní obsahu a okamžitej pripravenosti po zapnutí sa stali nenahraditeľné ako pamäť programu počítačov (neskôr len pamäť pre zavádzací program - [[BIOS]]) a mikrokontrolérov (až po príchod [[EEPROM]]/[[FLASH]]).
Pamäte EPROM boli vyvinuté firmou Intel počiatkom sedemdesiatych rokov a vďaka ich opakovateľnej preprogramovateľnosti pri uchovaní obsahu a okamžitej pripravenosti po zapnutí sa stali nenahraditeľné ako pamäť programu počítačov (neskôr len pamäť pre zavádzací program - [[BIOS]]) a mikrokontrolérov (až po príchod [[EEPROM]]/[[FLASH]]).

Verzia z 21:29, 28. jún 2006

ST Microelectronics 256Kbit 32KB 120ns EPROM vyrobená v 14. týždni 1995 (9514)

EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) je ROM mazateľné ultrafialovým svetlom.

Pamäte EPROM boli vyvinuté firmou Intel počiatkom sedemdesiatych rokov a vďaka ich opakovateľnej preprogramovateľnosti pri uchovaní obsahu a okamžitej pripravenosti po zapnutí sa stali nenahraditeľné ako pamäť programu počítačov (neskôr len pamäť pre zavádzací program - BIOS) a mikrokontrolérov (až po príchod EEPROM/FLASH).

Princíp pamäte spočíva v elektrickom náboji zachytenom v izolovanom ("plávajúcom") hradla pamäťového MOS tranzistora. Náboj sa do hradla dostane tunelovaním cez mimoriadne tenký oxid kremíka pri pripojení väčšieho než bežne používaného napätia medzi source a zapojené hradlo (gate) tranzistora. Proces je nevratný a na vyprázdnenie plávajúceho hradla je potrebné použiť ionizujúce žiarenie (UV svetlo).

Obsah takejto pamäte môže užívateľ meniť pomocou mazačky, ktorá osvetlí čip ultrafialovým svetlom po dobu 5 až 10 minút, potom je obsah pamäte vymazaný a môžeme ju preprogramovať (naplniť iným obsahom). Čas prístupu je typicky 120 až 150 ns.