EPROM: Rozdiel medzi revíziami

z Wikipédie, slobodnej encyklopédie
Smazaný obsah Přidaný obsah
IW-BOT (diskusia | príspevky)
d robot: štylistické, typografické a kódové korekcie
Wek1 (diskusia | príspevky)
prekopane
Riadok 1: Riadok 1:
[[Obrázok:Eprom32k.jpg|thumb|right|ST Microelectronics 256Kbit 32KB 120ns EPROM vyrobená v 14. týždni 1995 (9514)]]'''EPROM''' (Erasable Programmable Read-Only Memory) je [[ROM]] mazateľné ultrafialovým svetlom.
[[Obrázok:Eprom32k.jpg|thumb|right|ST Microelectronics 256Kbit 32KB 120ns EPROM vyrobená v 14. týždni 1995 (9514)]]'''EPROM''' (Erasable Programmable Read-Only Memory) je pamäť typu [[ROM]] (určená na čítanie), mazateľná ultrafialovým svetlom.


== Princíp ==
Pamäte EPROM boli vyvinuté firmou Intel počiatkom sedemdesiatych rokov a vďaka ich opakovateľnej preprogramovateľnosti pri uchovaní obsahu a okamžitej pripravenosti po zapnutí sa stali nenahraditeľné ako pamäť programu počítačov (neskôr len pamäť pre zavádzací program - [[BIOS]]) a mikrokontrolérov (až po príchod [[EEPROM]]/[[FLASH]]).


Princíp pamäte spočíva v elektrickom náboji zachytenom v izolovanom („plávajúcom“) hradla pamäťového [[MOS]] tranzistora. Náboj sa do hradla dostane tunelovaním cez mimoriadne tenký oxid kremíka pri pripojení väčšieho než bežne používaného napätia medzi source a zapojené hradlo (gate) tranzistora. Proces je nevratný a na vyprázdnenie plávajúceho hradla je potrebné použiť ionizujúce žiarenie (UV svetlo).
Princíp pamäte spočíva v [[elektrický náboj|elektrickom náboji]] zachytenom v izolovanom („plávajúcom“) hradla pamäťového [[MOS]] tranzistora. Náboj sa do hradla dostane [[tunelový jav|tunelovaním]] cez mimoriadne tenký oxid [[kremík]]a pri pripojení väčšieho než bežne používaného [[napätie|napätia]] medzi source a zapojené hradlo (gate) tranzistora. Proces je nevratný a na vyprázdnenie plávajúceho hradla je potrebné použiť [[ionizujúce žiarenie]] ([[ultrafialové svetlo]]).


Aby bolo možné čip osvetliť UV svetlom, v puzdre je nad priestorom čipu zabudované okienko z [[kremeň|kremičitého]] [[sklo|skla]], a kvôli tepelnej rozťažnosti okienka je aj samotné puzdro [[keramika|keramické]]. Niekedy sa EPROM púzdria do podstatne lacnejších bežných plastových puzdier a nie je možné ich vymazať, sú teda určené na jednorazové naprogramovanie (tzv. OTP EPROM - One Time Programmable EPROM).
Obsah takejto pamäte môže užívateľ meniť pomocou mazačky, ktorá osvetlí čip ultrafialovým svetlom po dobu 5 až 10 minút, potom je obsah pamäte vymazaný a môžeme ju preprogramovať (naplniť iným obsahom). Čas prístupu je typicky 120 až 150 ns.

Na zmenu obsahu EPROM je potrebné pamäť najprv vymazať v tzv. mazačke, ktorá osvetlí čip ultrafialovým svetlom po dobu 5 až 10 [[minúta|minút]], potom je obsah pamäte vymazaný a je možné ju v špecializovanom programátore preprogramovať (naplniť iným obsahom). Programuje sa naraz celé dátové slovo (obvykle 8 [[bit]]ov, zriedkavo 16 bitov), čo trvá typicky niekoľko [[milisekunda|milisekúnd]]. Staršie EPROM používali programovacie napätie okolo 21 V, novšie sú programované napätím okolo 12.5 V.

Čas prístupu pri čítaní je typicky 120 až 150 [[nanosekunda|ns]].

== Použitie ==
Pamäte EPROM boli vyvinuté firmou [[Intel]] počiatkom sedemdesiatych rokov a vďaka ich opakovateľnej preprogramovateľnosti pri uchovaní obsahu a okamžitej pripravenosti po zapnutí sa stali nenahraditeľné ako pamäť programu počítačov (neskôr len pamäť pre zavádzací program - [[BIOS]]. dnes obvykle nahradené [[FLASH]]).

Podobne boli EPROM používané ako programová pamäť [[mikrokontrolér]]ov (až po príchod [[EEPROM]]/[[FLASH]]). Mikrokontroléry s takouto pamäťou boli puzdrené podobne ako samostatné pamäte do keramických puzdier s okienkom pre vývojové účely, a pre produkciu vo forme OTP do lacných plastových puzdier.


{{počítačový výhonok}}


[[Kategória:Polovodičové pamäte]]
[[Kategória:Polovodičové pamäte]]

Verzia z 13:42, 29. január 2007

ST Microelectronics 256Kbit 32KB 120ns EPROM vyrobená v 14. týždni 1995 (9514)

EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) je pamäť typu ROM (určená na čítanie), mazateľná ultrafialovým svetlom.

Princíp

Princíp pamäte spočíva v elektrickom náboji zachytenom v izolovanom („plávajúcom“) hradla pamäťového MOS tranzistora. Náboj sa do hradla dostane tunelovaním cez mimoriadne tenký oxid kremíka pri pripojení väčšieho než bežne používaného napätia medzi source a zapojené hradlo (gate) tranzistora. Proces je nevratný a na vyprázdnenie plávajúceho hradla je potrebné použiť ionizujúce žiarenie (ultrafialové svetlo).

Aby bolo možné čip osvetliť UV svetlom, v puzdre je nad priestorom čipu zabudované okienko z kremičitého skla, a kvôli tepelnej rozťažnosti okienka je aj samotné puzdro keramické. Niekedy sa EPROM púzdria do podstatne lacnejších bežných plastových puzdier a nie je možné ich vymazať, sú teda určené na jednorazové naprogramovanie (tzv. OTP EPROM - One Time Programmable EPROM).

Na zmenu obsahu EPROM je potrebné pamäť najprv vymazať v tzv. mazačke, ktorá osvetlí čip ultrafialovým svetlom po dobu 5 až 10 minút, potom je obsah pamäte vymazaný a je možné ju v špecializovanom programátore preprogramovať (naplniť iným obsahom). Programuje sa naraz celé dátové slovo (obvykle 8 bitov, zriedkavo 16 bitov), čo trvá typicky niekoľko milisekúnd. Staršie EPROM používali programovacie napätie okolo 21 V, novšie sú programované napätím okolo 12.5 V.

Čas prístupu pri čítaní je typicky 120 až 150 ns.

Použitie

Pamäte EPROM boli vyvinuté firmou Intel počiatkom sedemdesiatych rokov a vďaka ich opakovateľnej preprogramovateľnosti pri uchovaní obsahu a okamžitej pripravenosti po zapnutí sa stali nenahraditeľné ako pamäť programu počítačov (neskôr len pamäť pre zavádzací program - BIOS. dnes obvykle nahradené FLASH).

Podobne boli EPROM používané ako programová pamäť mikrokontrolérov (až po príchod EEPROM/FLASH). Mikrokontroléry s takouto pamäťou boli puzdrené podobne ako samostatné pamäte do keramických puzdier s okienkom pre vývojové účely, a pre produkciu vo forme OTP do lacných plastových puzdier.