Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou
Tranzistor riadený poľom s hradlovou oxidovou vrstvou (iné názvy: poľom riadený tranzistor s hradlom izolovaným oxidovou vrstvou, poľom riadený tranzistor s oxidom izolovaným hradlom, tranzistor MOSFET, skr. MOSFET alebo MOS-FET alebo MOS FET z angl. metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) je druh tranzistora riadeného poľom (FET), ktorého hradlo realizované vrstvou kovu je oddelené od polovodiča dielektrickou vrstvou oxidu daného polovodiča.
Keďže na jeho prípravu je potrebná dokonalá a veľmi tenká oxidová vrstva s malým počtom nežiaducich porúch na rozhraní polovodiča a kovu, MOSFET tranzistory sa v praxi pripravujú výhradne z kremíka, ktorý je jediným polovodičom, na ktorom je možné pripraviť oxid požadovaných vlastností.
Podľa typu vodivosti hradla delíme MOSFET na PMOS a NMOS. Vhodnou prípravou substrátu je možné získať v oboch polaritách FET tranzistory obohacovacieho aj ochudobňovacieho typu.
Kombináciou obidvoch typov tranzistorov v integrovaných obvodoch získame štruktúru CMOS, ktorá je základom takmer všetkých moderných digitálnych integrovaných obvodov.
MOS[upraviť | upraviť zdroj]
MOS (z angl. Metal Oxide Semiconductor) je technológia výroby polovodičových súčiastok.
Iné projekty[upraviť | upraviť zdroj]
Commons ponúka multimediálne súbory na tému MOS(FET)
|
Tento článok týkajúci sa elektrotechniky je zatiaľ „výhonok“. Pomôž Wikipédii tým, že ho doplníš a rozšíriš. |