Súbor:HEMT-band structure scheme-en.svg
Veľkosť tohoto PNG náhľadu tohoto SVG súboru: 480 × 370 pixelov. Iné rozlíšenia: 311 × 240 pixelov | 623 × 480 pixelov | 996 × 768 pixelov | 1 280 × 987 pixelov | 2 560 × 1 973 pixelov .
Pôvodný súbor (SVG súbor, 480 × 370 pixelov, veľkosť súboru: 19 KB)
| Popis |
English: Electron energy band structure of a High Electron Mobility Transistor (HEMT) as cross section under the gate electrode Deutsch: Energiebandstruktur eines "High electron mobility"-Transistor (HEMT), dargestellt ist der Verlauf unter der Gate-Elektrode |
| Dátum | (UTC) |
| Zdroj | |
| Autor |
|
.svg){kind=link}
Tento súbor podlieha licencii Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0 Unported
- Môžete slobodne:
- zdieľať – kopírovať, šíriť a prenášať dielo
- meniť ho – upravovať dielo
- Za nasledovných podmienok:
- uvedenie autorov – Musíte spomenúť autorov (jednotlivo alebo kolektívne), poskytnúť odkaz na licenciu a uviesť, či ste niečo zmenili. Môžete to urobiť ľubovoľným primeraným spôsobom, ale nie spôsobom naznačujúcim, že poskytovateľ licencie podporuje vás alebo vaše použitie diela.
- meniť za rovnakých podmienok – Ak toto dielo zmeníte, prevediete do inej formy alebo použijete ako základ iného diela, musíte výsledok šíriť pod rovnakou alebo kompatibilnou licenciou ako originál.
Pôvodný záznam nahrávaní
This image is a derivative work of the following images:
- File:High_Electron_MobilityTransistor_-_electron_energy_band_structure_(DE).svg licensed with PD-self
- 2008-06-17T11:17:31Z Cepheiden 480x370 (29105 Bytes) {{Information |Description={{en|1=Electron energy band structure of a high electron mobility transistor (HEMT) as cross section under the gate electrode }} {{de|1=Energiebandstruktur eines "High electron mobility"-Transistor
Uploaded with derivativeFX
História súboru
Po kliknutí na dátum/čas uvidíte ako súbor vyzeral vtedy.
| Dátum/Čas | Náhľad | Rozmery | Používateľ | Komentár | |
|---|---|---|---|---|---|
| aktuálna | 05:31, 19. december 2018 | | 480 × 370 (19 KB) | Hamad Spider | Corrected the overlap of the "r" and ")" characters in "(spacer)" |
| 17:11, 19. január 2016 |  | 480 × 370 (17 KB) | Heron | spelling correction: two dimentional --> two-dimensional | |
| 23:44, 26. august 2009 |  | 480 × 370 (42 KB) | Sfu | correct | |
| 23:37, 26. august 2009 |  | 480 × 370 (42 KB) | Sfu | {{Information |Description={{en|1=Electron energy band structure of a High Electron Mobility Transistor (HEMT) as cross section under the gate electrode }} {{de|1=Energiebandstruktur eines "High electron mobility" |
Použitie súboru
Žiadne stránky neobsahujú odkazy na tento súbor.
Globálne využitie súborov
Nasledovné ďalšie wiki používajú tento súbor:
- Použitie na ca.wikipedia.org
- Použitie na de.wikipedia.org
- Použitie na en.wikipedia.org
- Použitie na es.wikipedia.org
- Použitie na fa.wikipedia.org
- Použitie na hu.wikipedia.org
- Použitie na it.wikipedia.org
- Použitie na ja.wikipedia.org
- Použitie na tr.wikipedia.org
- Použitie na vi.wikipedia.org
- Použitie na zh.wikipedia.org
