Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom

z Wikipédie, slobodnej encyklopédie
Prejsť na: navigácia, hľadanie
Výkonový IGBT (3300 V/1200 A)
Náhradná schéma IGBT
Rez typickým IGBT so zakresleným prepojením MOSFET a bipolárneho tranzistoru. Reálne IGBT obsahujú viacero takýchto buniek zapojených paralelne pre zvýšenie maximálneho prúdu.

Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom (ang. Insulated Gate Bipolar Transistor, skrátene IGBT) je druh tranzistorov pre obrovské spínané výkony (rádovo 10 kW) a vysokú pulznú frekvenciu.

Sú potrebné pri zariadeniach ako napr. meniče (DC/AC, AC/AC).

Pred zhruba 10-20 rokmi bolo pomerne ťažké vytvárať krátke vysokovýkonové impulzy rádu desiatok kW, pretože bipolárne tranzistory a hlavne tyristory boli síce výkonné ale pomalé a MOSFET boli zase slabé.

Preto sa vytvorili IGBT. Tie ale boli veľmi drahé a tiež nespoľahlivé. Postupne sa však vyvíjali a ich cena v poslednom čase klesla natoľko, že sú už cenovo dostupné dokonca aj pre hobby.

Výhody:

  • nízke straty v zopnutom stave
  • nízky budiaci výkon
  • vysoké spínacie frekvencie
  • veľký rozsah pracovných napätí a prúdu

Pozri aj[upraviť | upraviť zdroj]

Iné projekty[upraviť | upraviť zdroj]