DRAM

z Wikipédie, slobodnej encyklopédie
Prejsť na: navigácia, hľadanie

DRAM (Dynamic Random Access Memory) je RAM, ktorá uchováva údaje na kondenzátore (parazitnej kapacite riadiacej elektródy (Gate) tranzistora MOS, ktorý súčasne slúži ako čítací prvok pamäťovej bunky) ako elektrický náboj. Náboj sa pomaly vybíja, preto vyžaduje pravidelné obnovovanie (refresh) - čítanie a znovuzapísanie, t. j. znovunabíjanie parazitnej kapacity. Dynamické pamäte majú väčšiu hustotu integrácie na jeden zapamätaný bit (1 tranzistor oproti 6 u SRAM) a tým menšiu cenu pri vysokých kapacitách, než statické pamäte. Na rozdiel od SRAM však majú kvôli potrebe obnovovania nezanedbateľnú spotrebu aj keď sa k nim nepristupuje (nezapisuje ani nečíta).

Kvôli menšiemu (a tým lacnejšiemu) puzdru je u DRAM typicky multiplexovaná horná a dolná polovica adresnej zbernice, t. j. najprv sa privedie horná časť adresy, špeciálnym signálom sa zapíše do vnútorného registra pamäte, potom sa privedením dolnej časti adresy vyberá alebo zapisuje priamo požadovaná informácia.

V praxi boli bežné DRAM nahradené synchrónnymi typmi SDRAM a DDR SDRAM.