Stanén
Stanén je topologický izolátor, teoreticky predpovedaný skupinou profesora Shouchenga Zhanga zo Standfordovej univerzity, ktorý možno predstavuje bezstratový prenos elektrického prúdu pri teplotách blízkych izbovej teplote. Stanén je tvorený atómami cínu, ktoré sú usporiadané v jednej vrstve, podobne ako u grafénu.[1] Názov stanén vznikol z latinského označenia pre cín (stannum) a prípony -én od slova grafén.[2] Výskum aktuálne prebieha v Nemecku a v Číne a i v laboratóriach na Stanfordovej univerzite a UCLA.[3]
Pridanie atómov fluóru do atómovej mriežky cínu môže zvýšiť kritickú teplotu až k 100°C.[4] To by umožnilo jeho použitie v rámci integrovaných obvodov.
Referencie[upraviť | upraviť zdroj]
- ↑ XU, Yong; YAN, Binghai; ZHANG, Hai-Jun. Large-Gap Quantum Spin Hall Insulators in Tin Films. Physical Review Letters, 2013-09-24, roč. 111, čís. 13, s. 136804. Dostupné online [cit. 2022-05-16]. ISSN 0031-9007. DOI: 10.1103/PhysRevLett.111.136804. (po anglicky)
- ↑ SINGH, Ritu. Tin could be the next super material for computer chips. Zeenews, November 24, 2013. Dostupné online.
- ↑ MARKOFF, John. Designing the Next Wave of Computer Chips [online]. New York Times, January 9, 2014, [cit. 2014-01-10]. Dostupné online.
- ↑ Will 2-D Tin be the Next Super Material? [online]. SLAC National Accelerator Laboratory, [cit. 2022-05-16]. Dostupné online. (po anglicky)
Zdroj[upraviť | upraviť zdroj]
Tento článok je čiastočný alebo úplný preklad článku Stanene na anglickej Wikipédii.