Unipolárna pamäť

z Wikipédie, slobodnej encyklopédie
Skočit na navigaci Skočit na vyhledávání

Unipolárna pamäť alebo MOS pamäť je druh pamäti založenej na technológii MOSFET.

Opakom pojmu je bipolárna pamäť. Dnes sa pojem unipolárna pamäť už nepoužíva, pretože bipolárne pamäte sa už nevyrábajú a všetky dnes vyrábané polovodičové pamäte sú unipolárne, t. j. založené na MOSFET tranzistoroch.

V 70. rokoch boli unipolárne pamäte pomalšie než bipolárne, avšak mali menšiu spotrebu a dosahovala sa u nich vyššia hustota integrácie než u bipolárnych pamätí, teda boli výrobne lacnejšie a mali väčšiu kapacitu na puzdro. Po vylepšení MOSFET technológií a zvýšení rýchlosti unipolárnych obvodov bipolárne pamäte zanikli.

Unipolárna technológia Historicky najstaršia unipolárná technológia je technológia PMOS, ktorá využíva ako základný prvok štruktúru unipolárnych tranzistor s kanálom typu P. Vzhľadom k nízkej rýchlosti spínania a špatnej zlučiteľnosti s TTL logickými obvodmi bola pomerne rýchlo nahradená technológiou NMOS. Technológia označovaná CMOS (Complementary MOS) na rozdiel od predchádzajúcich nepoužívajú ako záťaž spínacieho prvku rezistor, ale aktívnu záťaž – tranzistor MOS typu P. Toto riešenie prináša úspory stratového výkonu v statickom režime, kde je jeden z tranzistorov v zavretom stave.