Flash pamäť

z Wikipédie, slobodnej encyklopédie
Prejsť na: navigácia, hľadanie
Proces mazania FLASH bunky
Proces programovania FLASH bunky

Flash pamäť, celým menom Flash-EEPROM, je zrýchlená EEPROM.

V porovnaní s klasickou EEPROM dovoľuje zapisovať (mazať) do viacerých častí pamäte v jednej operácii programu, tzn. vyššiu rýchlosť zápisu. Flash pamäť je - podobne ako EEPROM - nevolatilná, teda (na rozdiel od klasickej RWM) uchováva obsah pamäte aj bez napájania elektrickou energiou.

Flash pamäte sa bežne používajú v pamäťových USB diskoch, prenosných MP3 prehrávačoch, pamäťových kartách v digitálnych kamerách a mobilných telefónoch atď.

Technická realizácia[upraviť | upraviť zdroj]

Technicky sa pamäťové bunky Flash pamäte realizujú ako ochudobňovací NMOS tranzistor s dvomi hradlami nad sebou - riadiace hradlo je na vrchu a druhé, tzv. plávajúce hradlo (angl. floating gate), ktoré je samotným nosičom informácie, je pod ním odizolované zdola aj zhora (aj zo všetkých strán). Pomocou horného hradla sa tunelovým javom nainjekujú do dolného hradla elektróny, ktoré tam ostanú uväznené - tie potom vytvárajú pole, ktoré ochudobňuje prechod.

Najjednoduhšie FLASH bunky poznajú len stav 1-0, t. j. prepúšťa neprepúšťa. Modernejšie bunky používajú viac úrovní náboja na plávajúcom hradle, čím sa dá uložiť naraz viac bitov, prípadne analógová hodnota, v jednej bunke.

Vybíjanie plávajúceho hradla (t. j. mazanie) prebieha tiež tunelovým javom.