Tunelová dióda
Jump to navigation
Jump to search
Tunelová dióda alebo Esakiho dióda je polovodičová dióda, ktorá sa vyrába zo silne dotovaného germánia alebo arzenidu gália. Je to dióda, ktorá vykazuje na Volt-Ampérovej charakteristike oblasť záporného diferenciálneho odporu. Pri spätnom zapojení sa chová ako lineárny rezistor s malým odporom. Oblasť VA charakteristiky so záporným dynamickým odporom vzniká vplyvom tunelového javu. Tento jav vzniká pri veľmi úzkych prechodoch PN s veľmi vysokou koncentráciou prímesí po oboch stranách prechodu PN. Tunelové diódy sa používajú v oscilátoroch a zosilňovačoch až do veľmi vysokých frekvencií (f = 10 GHz).
Zdroj[upraviť | upraviť zdroj]
- presun z článku dióda
