Tunelová dióda
z Wikipédie, slobodnej encyklopédie
Tunelová dióda alebo Esakiho dióda je polovodičová dióda, ktorá sa vyrába zo silne dotovaného germánia alebo arzenidu gália. Je to dióda, ktorá vykazuje na Volt-Ampérovej charakteristike oblasť záporného diferenciálneho odporu. Pri spätnom zapojení sa chová ako lineárny rezistor s malým odporom. Oblasť VA charakteristiky so záporným dynamickým odporom vzniká vplyvom tunelového javu. Tento jav vzniká pri veľmi úzkych prechodoch PN s veľmi vysokou koncentráciou prímesí po oboch stranách prechodu PN. Tunelové diódy sa používajú v oscilátoroch a zosilňovačoch až do veľmi vysokých frekvencií (f = 10 GHz).
Zdroj[upraviť | upraviť zdroj]
- presun z článku dióda
