NVRAM

z Wikipédie, slobodnej encyklopédie
Prejsť na: navigácia, hľadanie

NVRAM (Non-Volatile Random Access Memory) alebo energeticky nezávislá pamäť s priamym prístupom je RAM, ktorá (na rozdiel od SRAM/DRAM) nepotrebuje na uchovanie údajov elektrickú energiu.

Sledované parametre[upraviť | upraviť zdroj]

Zapisovateľnosť / Prepisovateľnosť[upraviť | upraviť zdroj]

Len na čítanie[upraviť | upraviť zdroj]

Pamäte typu „len na čítanie“ (angl. read-only) majú obsah určený výrobcom a užívateľsky nie sú zapisovateľné. Príkladom sú polovodičové ROM pamäte (použité často napr. na uchovanie firmware v mikrokontroléroch pri hromadnej výrobe), alebo tzv. lisované CD.

Niekedy sa ako ROM používajú aj pamäte na jednorazový zápis, ktorých obsah je však zapísaný a overený priamo výrobcom.

Na jednorazový zápis[upraviť | upraviť zdroj]

Pamäte na jednorazový zápis (angl. write-once alebo (u polovodičových pamätí) one-time programmable) je možné užívateľsky jednorazovo zapísať, ale nie je možné ich mazať či prepísať. Typický príklad sú CD-ROM, DVD-ROM alebo bezokienkové EPROM, príp. dnes už historické bipolárne PROM.

Na viacnásobný zápis[upraviť | upraviť zdroj]

Tieto pamäte umožňujú viacnásobné, niekedy až neobmedzené, zapisovanie resp. prepisovanie údajov. Dôležitým parametrom týchto pamätí je povolený počet zápisových cyklov.

Doba uchovania údajov[upraviť | upraviť zdroj]

Doba uchovania údajov (angl. retention) je výrobcom zaručená doba, pokiaľ si pamäť bez napájania uchová údaje nepoškodené. Obvykle ide o roky (typická hodnota býva 10 alebo 20 rokov).

Takmer u všetkých druhov NVRAM sa táto doba exponenciálne zmenšuje so zvyšujúcou sa teplotou, preto je dôležité venovať pozornosť prevádzkovým príp. skladovacím podmienkam pamäte.

Počet cyklov (zápis, čítanie)[upraviť | upraviť zdroj]

Niektoré technológie NVRAM majú obmedzený počet prístupových cyklov (angl. endurance)(obvykle zápisových, zriedkavo čítacích) kvôli degeneratívnym zmenám v materiáli pamäte.

Typicky sa to týka mazacích/zápisových cyklov pamätí typu EPROM/EEPROM/FLASH, ktoré bývajú typicky okolo 105-106 (ale u niektorých typov len okolo 1000).

Počet čítacích cyklov je obmedzený u technológie feroelektrických pamätí, kde je čítanie deštruktívne a je potrebné informáciu obnoviť, takže v prípade čítania prebehne aj zápis. Celkový počet cyklov u týchto pamätí je však pomerne vysoký, okolo 108-109, u novších pamätí na nižšie napájacie napätie sa dokonca udáva ako neobmedzený.

Prístupová doba (čítanie, zápis)[upraviť | upraviť zdroj]

Pre aplikáciu je podstatná aj doba prístupu k údajom.

U pamätí s nepohyblivým médiom (angl. solid state) ide dnes pri čítaní obvykle o desiatky nanosekúnd. Zápis je u pamätí typu EEPROM/FLASH pomalší (typicky jednotky či desiatky mikrosekúnd), pričom je potrebné často pamäť najprv vymazať (čo môže trvať desiatky mikrosekúnd až milisekundy).

U pamätí s pohyblivým médiom je doba prístupu obvykle symetrická pre čítanie/zápis, ale je rozdiel medzi čítaním za sebou nasledujúcich údajov a úplne náhodným prístupom (ten trvá obvykle desiatky milisekúnd). U týchto pamätí teda nejde čiste o pamäte s náhodným prístupom (RAM) podľa definície, ale čiastočne je prítomný aj sekvenčný prístup.

Rozdelenie[upraviť | upraviť zdroj]

S pohyblivým médiom[upraviť | upraviť zdroj]

  • pevný disk
  • CD a jeho varianty
  • DVD a jeho varianty
  • diskety, vrátane veľkokapacitných vymeniteľných magnetických médií (a-drive, jaz-drive, zip-drive) – zastarané

S nepohyblivým médiom (solid state)[upraviť | upraviť zdroj]

Zastarané[upraviť | upraviť zdroj]

Vyzreté[upraviť | upraviť zdroj]

Používané[upraviť | upraviť zdroj]

Nové[upraviť | upraviť zdroj]

  • feroelektrická pamäť (FRAM) [2]
  • magnetorezistívna pamäť (MRAM) [3]
  • SSD (solid-state drive)

Vo vývoji[upraviť | upraviť zdroj]

  • využívajúce technológiu uhlíkových nanorúrok
  • magnetické RAM pamäte založené na efekte magnetického tunela

Referencie[upraviť | upraviť zdroj]